RCJ510N25TL 与 IPB600N25N3 G 区别
| 型号 | RCJ510N25TL | IPB600N25N3 G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RCJ510N25TL-1 | A-IPB600N25N3 G | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||||
| 上升时间 | 300ns | 10ns | ||||
| Qg-栅极电荷 | 120nC | 29nC | ||||
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 24S | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | PG-TO263-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | 51A | 25A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 配置 | Single | Single | ||||
| 长度 | - | 10mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 下降时间 | 210ns | 8ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 48mΩ | 51mΩ | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2350pF @ 100V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 90µA | ||||
| 高度 | - | 4.4mm | ||||
| 功率耗散Pd | 1.56W | 136W | ||||
| 漏源极电压Vds | 250V | 250V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 170ns | 22ns | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 系列 | RCJ510N25 | OptiMOS3 | ||||
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel | ||||
| 典型接通延迟时间 | 65ns | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 950 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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RCJ510N25TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
51A 1.56W 48mΩ 250V 3V TO-263-3 |
￥28.4328
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950 | 当前型号 | ||||||
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IPB600N25N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 250V 25A 51mΩ 20V 136W N-Channel PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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